参数资料
型号: RB541XNTR
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 4/5页
文件大小: 527K
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 0.1A EMD3
标准包装: 1
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 530mV @ 100mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 10V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 100mA
电压 - (Vr)(最大): 30V
二极管类型: 肖特基
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置: 3 个独立式
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: UMD6
包装: 标准包装
其它名称: RB541XNTRDKR
RB541XNTRDKR-ND
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RB541XN
 
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0
25
50
75
100
125
D.C.
D=1/2
Sin(θ=180)
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0
10
20
30
D.C.
D=1/2
Sin(θ=180)
REVERSE POWER
DISSIPATION:P
R
(w)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-PR
CHARACTERISTICS
AMBIENT TEMPERATURE:Ta(°C)
DERATING CURVE(Io-Ta)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
0
5
10
15
20
25
30
AVE:2.80kV
AVE:9.50kV
C=100pF
R=1.5kΩ
C=200pF
R=0Ω
ELECTROSTATIC
DISCHARGE TEST ESD(KV)
ESD DISPERSION MAP
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0
25
50
75
100
125
D.C.
D=1/2
Sin(θ=180)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
CASE TEMPERATURE:Tc(°C)
DERATING CURVE(Io-Tc)
4/4
2011.11
- Rev.A
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