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参数资料
| 型号： | RFD16N05LSM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 14/Mar/2011 |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 47 毫欧 @ 16A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 60W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252AA |
| 包装： | 管件 |
RFD16N05LSM
Test Circuits and Waveforms
V DS
BV DSS
L
t P
V DS
VARY t P TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I AS
R G
+
V DD
I AS
V DD
V GS
DUT
-
0V
t P
I AS
0.01 ?
0
t AV
FIGURE 13. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 14. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
t ON
t d(ON)
t r
t OFF
t d(OFF)
t f
R L
V DS
90%
90%
+
R G
-
V DD
0
10%
10%
DUT
90%
V GS
50%
50%
V GS
0
10%
PULSE WIDTH
FIGURE 15. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
V DS
FIGURE 16. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
CURRENT
REGULATOR
(ISOLATED
SUPPLY)
V DD
12V
BATTERY
0.2 μ F
50k ?
0.3 μ F
SAME TYPE
AS DUT
Q gs
Q gd
Q g(TOT)
V GS
D
V DS
G
DUT
0
0
I G(REF)
S
V DS
I G(REF)
I G CURRENT
SAMPLING
I D CURRENT
SAMPLING
RESISTOR
RESISTOR
0
FIGURE 17. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FIGURE 18. GATE CHARGE WAVEFORMS
RFD16N05LSM Rev. C1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RFD16N06LESM9A | MOSFET N-CH 60V 16A DPAK |
| RFP12N10L | MOSFET N-CH 100V 12A TO-220AB |
| RFP14N05L | MOSFET N-CH 50V 14A TO-220AB |
| RFP3055LE | MOSFET N-CH 60V 11A TO-220AB |
| RFP50N06 | MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RFD16N05LSM | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:MOSFET N LOGIC D-PAK |
| RFD16N05LSM_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| RFD16N05LSM_Q | 功能描述:MOSFET TO-252AA N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RFD16N05LSM9A | 功能描述:MOSFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RFD16N05NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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