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参数资料
| 型号： | RFP12N10L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 12A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220AB |
| 标准包装： | 400 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 12A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 60W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
RFP12N10L
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified (Continued)
1.3
1.2
1.1
V DS = V GS
I D = 250 μ A
800
600
V GS = 0V, f = 1MHz
C ISS = C GS + C GD
C RSS = C GD
C OSS ≈ C DS + C GD
1.0
0.9
0.8
400
C ISS
0.7
0.6
200
C OSS
C RSS
0.5
-50
0
50
100
150
0
0
10 20 30 40
50
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 7. NORMALIZED GATE THRESHOLD VOLTAGE vs
JUNCTION TEMPERATURE
V DS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
FIGURE 8. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
100
75
BV DSS
R L = 8.33 ?
I G (REF) = 0.56mA
V GS = 5V
GATE
10
8
V DD = BV DSS SOURCE V
VOLTAGE DD
= BV DSS
6
50
4
25
0
0.75BV DSS
0.50BV DSS
0.25BV DSS
DRAIN SOURCE
VOLTAGE
2
0
20
I G (REF)
I G (ACT)
t, TIME ( μ s)
80
I G (REF)
I G (ACT)
NOTE: Refer to Fairchild Applications Notes AN7254 and AN7260
FIGURE 9. NORMALIZED SWITCHING WAVEFORMS FOR CONSTANT GATE CURRENT
Test Circuits and Waveforms
t ON
t d(ON)
t r
t OFF
t d(OFF)
t f
R L
V DS
90%
90%
+
-
V DD
0
10%
10%
R GS
DUT
90%
V GS
50%
50%
V GS
0
10%
PULSE WIDTH
FIGURE 10. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FIGURE 11. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
RFP12N10L Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RFP14N05L | MOSFET N-CH 50V 14A TO-220AB |
| RFP3055LE | MOSFET N-CH 60V 11A TO-220AB |
| RFP50N06 | MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB |
| RFRXD0920-I/LQ | MODULE RCVR 868/915MHZ ASK/FSK |
| RHK005N03T146 | MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-346 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RFP12N10L | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220 |
| RFP12N10L_Q | 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RFP12N10LR4154 (6 AMPS) | 制造商:Intersil Corporation 功能描述: |
| RFP12N18 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| RFP12N20 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
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