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参数资料
| 型号： | RFP14N05L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 50V 14A TO-220AB |
| 标准包装： | 400 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 14A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 670pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 48W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
RFD14N05L, RFD14N05LSM
Typical Performance Curves
1.2
Unless Otherwise Specified
16
1.0
12
0.8
0.6
8
0.4
4
0.2
0
0
25
50 75 100 125
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
150
175
0
25
50
75 100 125
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
150
175
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
2
1
0.5
0.2
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
TEMPERATURE
P DM
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
t 1
t 2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
0.01
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
10 0
10 1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
100
T C = 25 o C
T J = MAX. RATED
200
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
100 μ s
100
I
= I 25
175 - T C
150
10
1ms
10 -4
1
0.5
1
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
LIMITED BY r DS(ON)
10
10ms
100ms
DC
100
10
10
T C = 25 o C
-5
V GS = 5V
V GS = 10V
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
FIGURE 4. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
t, PULSE WIDTH (s)
FIGURE 5. PEAK CURRENT CAPABILITY
RFD14N05L, RFD14N05LSM Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RFP3055LE | MOSFET N-CH 60V 11A TO-220AB |
| RFP50N06 | MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB |
| RFRXD0920-I/LQ | MODULE RCVR 868/915MHZ ASK/FSK |
| RHK005N03T146 | MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-346 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RFP14N05L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| RFP14N05L_Q | 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RFP14N05LR4615 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| RFP14N05P2 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| RFP14N06 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
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