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参数资料
| 型号： | RFP14N05L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 50V 14A TO-220AB |
| 标准包装： | 400 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 14A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 670pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 48W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
RFD14N05L, RFD14N05LSM
Test Circuits and Waveforms
(Continued)
t ON
t OFF
V DS
V DS
t d(ON)
90%
t r
t d(OFF)
t f
90%
V GS
R L
DUT
+
-
V DD
0
10%
90%
10%
R GS
V GS
50%
50%
V GS
0
10%
PULSE WIDTH
FIGURE 18. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
V DS
FIGURE 19. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
V GS
R L
+
V DD
V DS
Q g(5)
Q g(TOT)
V GS = 10V
I G(REF)
DUT
-
V DD
V GS
V GS = 1V
0
V GS = 5V
Q g(TH)
I G(REF)
0
FIGURE 20. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FIGURE 21. GATE CHARGE WAVEFORMS
RFD14N05L, RFD14N05LSM Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RFP3055LE | MOSFET N-CH 60V 11A TO-220AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RFP14N05L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| RFP14N05L_Q | 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RFP14N05LR4615 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| RFP14N05P2 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| RFP14N06 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
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