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参数资料
| 型号： | RFP14N05L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 50V 14A TO-220AB |
| 标准包装： | 400 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 14A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 670pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 48W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
RFD14N05L, RFD14N05LSM
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified (Continued)
2.0
1.5
1.0
0.5
0
V GS = V DS , I D = 250 μ A
2.0
1.5
1.0
0.5
0
I D = 250 μ A
-80
-40
0 40 80 120 160
200
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 12. NORMALIZED GATE THRESHOLD VOLTAGE vs
JUNCTION TEMPERATURE
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 13. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
800
50
5
C ISS
40
V DD = BV DSS
V DD = BV DSS
4
600
V GS = 0V, f = 1MHz
C ISS = C GS + C GD
30
3
400
C RSS = C GD
C OSS ≈ C DS + C GD
C OSS
20
0.75 BV DSS
0.50 BV DSS
0.25 BV DSS
2
200
C RSS
10
0
R L = 3.57 ?
I G(REF) = 0.4mA
V GS = 5V
1
0
I G ( REF )
G ( ACT )
I G ( REF )
G ( ACT )
0
0
5 10 15 20
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
25
20 -------------------------
I
t, TIME ( μ s)
80 -------------------------
I
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7254 and AN7260,
FIGURE 14. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 15. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
Test Circuits and Waveforms
V DS
BV DSS
L
t P
V DS
VARY t P TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I AS
R G
+
V DD
I AS
V DD
V GS
DUT
-
0V
t P
I AS
0.01 ?
0
t AV
FIGURE 16. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FIGURE 17. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
RFD14N05L, RFD14N05LSM Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RFP14N05L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| RFP14N05L_Q | 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RFP14N05LR4615 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| RFP14N05P2 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| RFP14N06 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
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