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参数资料
| 型号： | RFP14N05L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 50V 14A TO-220AB |
| 标准包装： | 400 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 14A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 670pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 48W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
RFD14N05L, RFD14N05LSM
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT RFP14N05L 2 1 3 ;
CA 12 8 1.464e-9
rev 9/15/94
CB 15 14 1.64e-9
CIN 6 8 6.17e-10
10
DPLCAP
5
LDRAIN
DRAIN
2
DBODY 7 5 DBDMOD
DBREAK 5 11 DBKMOD
RSCL1
DPLCAP 10 5 DPLCAPMOD
EBREAK 11 7 17 18 65.35
RSCL2
+ 51
5
ESCL
51
DBREAK
18
LGATE RGATE
EDS 14 8 5 8 1
EGS 13 8 6 8 1
ESG 6 10 6 8 1
EVTO 20 6 18 8 1
IT 8 17 1
LDRAIN 2 5 1e-9
LGATE 1 9 5.68e-9
GATE
1
9 20 +
ESG
EVTO
8
+
6
8
6
RIN
16
VTO
+
CIN
50
RDRAIN
21
MOS1
11
EBREAK 17
18
MOS2
+
DBODY
LSOURCE 3 7 5.35e-9
8
RSOURCE
7
LSOURCE
3
MOS1 16 6 8 8 MOSMOD M = 0.99
SOURCE
MOS2 16 21 8 8 MOSMOD M = 0.01
S1A
S2A
RBREAK 17 18 RBKMOD 1
12
13
8
14
13
15
17
RBREAK
18
RDRAIN 50 16 RDSMOD 33.1e-3
RGATE 9 20 5.85
RIN 6 8 1e9
RSCL1 5 51 RSCLMOD 1e-6
RSCL2 5 50 1e3
RSOURCE 8 7 RDSMOD 14.3e-3
S1B
CA
EGS
+
6
8
S2B
13
CB
EDS
+ 14
5
8
IT
RVTO
19
VBAT
+
RVTO 18 19 RVTOMOD 1
S1A
S1B
S2A
S2B
6 12 13 8 S1AMOD
13 12 13 8 S1BMOD
6 15 14 13 S2AMOD
13 15 14 13 S2BMOD
VBAT 8 19 DC 1
VTO 21 6 0.485
ESCL 51 50 VALUE = {(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)*1e6/46,7))}
.MODEL DBDMOD D (IS = 2.23e-13 RS = 1.15e-2 TRS1 = 1.64e-3 TRS2 = 7.89e-6 CJO = 6.83e-10 TT = 3.68e-8)
.MODEL DBKMOD D (RS = 3.8e-1 TRS1 = 1.89e-3 TRS2 = 1.13e-5)
.MODEL DPLCAPMOD D (CJO = 25.7e-11 IS = 1e-30 N = 10)
.MODEL MOSMOD NMOS (VTO = 1.935 KP = 18.89 IS = 1e-30 N = 10 TOX = 1 L = 1u W = 1u)
.MODEL RBKMOD RES (TC1 = 7.18e-4 TC2 = 1.53e-6)
.MODEL RDSMOD RES (TC1 = 4.45e-3 TC2 = 2.9e-5)
.MODEL RSCLMOD RES (TC1 = 2.8e-3 TC2 = 6.0e-6)
.MODEL RVTOMOD RES (TC1 = -1.7e-3 TC2 = -2.0e-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON = 1e-5 ROFF = 0.1 VON = -3.55 VOFF= -1.55)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON = 1e-5 ROFF = 0.1 VON = -1.55 VOFF= -3.55)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON = 1e-5 ROFF = 0.1 VON = -2.55 VOFF= 2.45)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON = 1e-5 ROFF = 0.1 VON = 2.45 VOFF= -2.55)
.ENDS
NOTE: For further discussion of the PSPICE model, consult A New PSPICE Sub-circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options ; authored by William J. Hepp and C. Frank Wheatley.
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
RFD14N05L, RFD14N05LSM Rev. C0
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RFP14N05L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| RFP14N05L_Q | 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RFP14N05LR4615 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| RFP14N05P2 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
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