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参数资料
| 型号： | RHP020N06T100 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89 |
| 产品目录绘图： | xT100 Series SOT-89 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 140pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-243AA |
| 供应商设备封装： | MPT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1637 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RHP020N06T100DKR |
RHP020N06
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
± 10
Unit
μ A
Conditions
V GS = ± 20V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
60
?
?
V
I D = 1mA, V GS =0V
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
I DSS
V GS (th)
R DS (on) ?
?
1.0
?
?
?
?
?
150
200
240
1
2.5
200
280
340
μ A
V
m ?
m ?
m ?
V DS = 60V, V GS =0V
V DS = 10V, I D = 1mA
I D = 2A, V GS = 10V
I D = 2A, V GS = 4.5V
I D = 2A, V GS = 4V
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Y fs
C iss
C oss
C rss
t d (on)
t r
t d (off)
t f
?
?
?
?
?
2.0
?
?
?
?
?
?
?
?
140
50
40
7
10
22
18
?
?
?
?
?
?
?
?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V DS = 10V, I D = 2A
V DS = 10V
V GS =0V
f=1MHz
V DD 30V
I D = 1A
V GS = 10V
R L =30 ?
R G =10 ?
Total gate charge
Q g
?
?
7
14
nC
V DD
30V
Gate-source charge
Gate-drain charge
Q gs
Q gd
?
?
?
?
1
2
?
?
nC
nC
V GS = 10V
I D = 2A
? Pulsed
Body diode characteristics (Source-drain) (Ta=25 ° C)
Parameter
Forward voltage
Symbol
V SD
Min.
?
Typ.
?
Max.
1.2
Unit
V
Conditions
I S = 2A, V GS =0V
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.03 - Rev.A
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