- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录503 > RJK0353DSP-00#J0 (Renesas Electronics America)MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | RJK0353DSP-00#J0 |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP |
| 产品目录绘图： | RJK Series SOP-8 RJK Series SOP-8 Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.9 毫欧 @ 9A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2180pF @ 10V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RJK0353DSP-00#J0DKR |
RJK0353DSP
Main Characteristics
4.0
Power vs. Temperature Derating
500
Maximum Safe Operation Area
era
n(
0 μ
1m s
≤ 1 Note
3.0
2.0
Test Condition :
When using the glass epoxy board
(FR4 40x40x1.6 mm), PW ≤ 10 s
100
10
1
DC
Op
Operation in
this area is
PW
tio
=
s
10
ms
PW
10 μs
10
0s ) 5
1.0
0.1
0.01
limited by R DS(on)
Ta = 25 °C
1 shot Pulse
0
50
100
150
200
0.1
0.3
1
3
10
30
100
50
Ambient Temperature Ta (°C)
Typical Output Characteristics
50
Drain to Source Voltage V DS (V)
Note 5 : When using the glass epoxy board
(FR4 40x40x1.6 mm)
Typical Transfer Characteristics
40
4.5 V
10 V
3.2 V
Pulse Test
40
V DS = 10 V
Pulse Test
3.0 V
30
30
20
2.8 V
20
10
V GS = 2.6 V
10
Tc = 75 ° C
25 ° C
–25°C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
Drain to Source Voltage
V DS (V)
Gate to Source Voltage
V GS (V)
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
160
120
80
Pulse Test
100
30
10
Pulse Test
V GS = 4.5 V
40
I D = 10 A
3
10 V
5A
2A
0
4
8
12
16
20
1
1
3
10
30
100
300 1000
Gate to Source Voltage
V GS (V)
Drain Current
I D
(A)
REJ03G1648-0401 Rev.4.01 Apr 24, 2008
Page 3 of 6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RJK03E0DNS-00#J5 | MOSFET N-CH 30V 30A 8-HWSON |
| RJK03E2DNS-00#J5 | MOSFET N-CH 30V 16A 8-HWSON |
| RJK6025DPD-00#J2 | MOSFET N CH 600V 1A MP3A |
| RJP020N06T100 | MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89 |
| RL3004-6.56-59-D1 | THERMISTOR NTC 10 OHM @ 25C |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RJK0354DSP | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| RJK0354DSP_10 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| RJK0354DSP-00#J0 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| RJK0354DSP-00-J0 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| RJK0355DPA | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。