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参数资料
| 型号： | RJK0353DSP-00#J0 |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP |
| 产品目录绘图： | RJK Series SOP-8 RJK Series SOP-8 Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.9 毫欧 @ 9A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2180pF @ 10V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RJK0353DSP-00#J0DKR |
RJK0353DSP
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
20
Pulse Test
16
10000
3000
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Ciss
1000
12
I D = 2 A, 5 A, 10 A
300
Coss
8
V GS = 4.5 V
100
Crss
4
0
10 V
2 A, 5 A, 10 A
30
10
V GS = 0
f = 1 MHz
–25
0
25
50
75
100 125 150
0
10
20
30
Case Temperature
Tc
( ° C)
Drain to Source Voltage V DS (V)
Reverse Drain Current vs.
Dynamic Input Characteristics
Source to Drain Voltage
50
I D = 18 A
V GS
20
50
Pulse Test
10 V
40
V DD = 25 V
16
40
5V
10 V
30
20
V DS
12
8
30
20
10
V DD = 25 V
4
10
V GS = 0, –5 V
10 V
0
0
20
40
60
80
0
100
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Gate Charge
Qg (nc)
Source to Drain Voltage V SD (V)
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
50
I AP = 16 A
40
V DD = 15 V
duty < 0.1 %
Rg ≥ 50 ?
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
Channel Temperature Tch ( ° C)
REJ03G1648-0401 Rev.4.01 Apr 24, 2008
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