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参数资料
| 型号： | RRR030P03TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 480pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-96 |
| 供应商设备封装： | TSMT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RRR030P03TLDKR |
RRR030P03
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
± 10
Unit
μ A
Conditions
V GS = ± 20V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
? 30
?
?
V
I D = ? 1mA, V GS =0V
?
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
I DSS
V GS (th)
R DS (on) ?
Y fs ?
C iss
C oss
C rss
t d (on) ?
t r
t d (off) ?
t f ?
?
? 1.0
?
?
?
2.4
?
?
?
?
?
?
?
?
?
55
85
95
?
480
70
70
7
18
50
35
? 1
? 2.5
75
115
125
?
?
?
?
?
?
?
?
μ A
V
m ?
m ?
m ?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V DS = ? 30V, V GS =0V
V DS = ? 10V, I D = ? 1mA
I D = ? 3A, V GS = ? 10V
I D = ? 1.5A, V GS = ? 4.5V
I D = ? 1.5A, V GS = ? 4V
V DS = ? 10V, I D = ? 3A
V DS = ? 10V
V GS =0V
f=1MHz
V DD ? 15V
I D = ? 1.5A
V GS = ? 10V
R L 10 ?
R GS =10 ?
Total gate charge
Q g ?
?
5.2
?
nC
V DD
? 15V, I D = ? 3A
Gate-source charge
Q gs ?
?
1.6
?
nC
V GS = ? 5V
Gate-drain charge
Q gd ?
?
1.6
?
nC
R L
5 ? , R G =10 ?
? Pulsed
Body diode characteristics (Source-drain) (Ta=25 ° C)
Parameter
Forward voltage
Symbol
V SD ?
Min.
?
Typ.
?
Max.
? 1.2
Unit
V
Conditions
I S = ? 3A, V GS =0V
? Pulsed
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.04 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RRR040P03TL | MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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