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参数资料
| 型号： | RRR030P03TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 480pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-96 |
| 供应商设备封装： | TSMT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RRR030P03TLDKR |
RRR030P03
Data Sheet
300
I D = -1.5A
Ta=25°C
Pulsed
1000
t d (off)
t f
Ta=25°C
V DD = -15V
V GS =-10V
R G =10 ?
10
8
200
I D = -3.0A
100
Pulsed
6
4
100
10
2
Ta=25°C
V DD = -15V
I D = -3.0A
t r
t d (on)
R G =10 ?
0
1
0
Pulsed
0
2
4
6
8
10
0.01
0.1
1
10
0
2
4
6
8
10
1000
100
10
GATE-SOURCE VOLTAGE : -V GS [V]
Fig.10 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage
Coss
Ciss
Crss
Ta=25°C
f=1MHz
V GS =0V
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.11 Switching Characteristics
TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]
Fig.12 Dynamic Input Characteristics
0.01
0.1
1
10
100
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
Fig.13 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
Measurement circuit
V GS
I D
R L
V DS
V GS
Pulse width
10%
50%
50%
90%
R G
D.U.T.
V DD
10%
10%
V DS
t d(on)
90%
t r
t d(off)
90%
t f
t on
t off
Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit
Fig.1-2 Switching Waveforms
I G (Const.)
V GS
I D
D.U.T.
R L
V DS
V G
V GS
Q g
R G
V DD
Q gs
Q gd
Charge
Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit
www.rohm.com
Fig.2-2 Gate Charge Waveform
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.04 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RRR040P03TL | MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3 |
| RSD050N06TL | MOSFET N-CH 60V 5A SOT428 |
| RSD200N10TL | MOSFET N-CH 100V 20A CPT3 |
| RSE002P03TL | MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416 |
| RSF014N03TL | MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| RRR040P03TL | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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| RRS01-01 | 制造商:SILICON SENSING SYSTEMS 功能描述:ANGULAR RATE SENSOR, 5V; Rate Range: 110/s; Bandwidth:50Hz |
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