参数资料
型号: RRR040P03TL
厂商: Rohm Semiconductor
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描述: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 45 毫欧 @ 4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1000pF @ 10V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: TSMT3
包装: 带卷 (TR)
RRR040P03
 
Data Sheet
? Measurement circuits
Pulse Width
V GS
I D
V DS
V GS
10%
50%
90%
50%
R L
D.U.T.
10%
10%
R G
V DD
V DS
t d(on)
90%
t r
t d(off)
90%
t f
t on
t off
Fig.1-1 Switching time measurement circuit
V G
Fig.1-2 Switching Waveforms
V GS
I D
V DS
Q g
R L
V GS
I G(Const.)
D.U.T.
Q gs
Q gd
V DD
Charge
Fig.2-1 Gate charge measurement circuit
www.rohm.com
Fig.2-2 Gate Charge Waveform
?20 10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2010.04 - Rev.A
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