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参数资料
| 型号： | RSQ045N03TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6 |
| 产品目录绘图： | TSMT-6 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.5nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 520pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RSQ045N03DKR |
RSQ045N03
l Thermal resistance
Data Sheet
Parameter
Thermal resistance, junction - ambient
Symbol
R thJA *3
R thJA *4
Min.
-
-
Values
Typ.
-
-
Max.
100
208
Unit
°C/W
°C/W
l Electrical characteristics (T a = 25°C) ,unless otherwise specified
Parameter
Drain - Source breakdown
voltage
Symbol
V (BR)DSS
Conditions
V GS = 0V, I D = 1mA
Min.
30
Values
Typ.
-
Max.
-
Unit
V
Breakdown voltage
temperature coefficient
ΔV (BR)DSS I D =1mA
ΔT j referenced to 25°C
-
26
-
mV/°C
Zero gate voltage drain current
Gate - Source leakage current
Gate threshold voltage
Gate threshold voltage
temperature coefficient
I DSS
I GSS
V GS (th)
ΔV (GS)th
ΔT j
V DS = 30V, V GS = 0V
V GS = 20V, V DS = 0V
V DS = 10V, I D = 1mA
I D =1mA
referenced to 25°C
-
-
1.0
-
-
-
-
- 2.8
1
10
2.5
-
m A
m A
V
mV/°C
V GS =10V, I D =4.5A
-
27
38
Static drain - source
on - state resistance
R DS(on)
*5
V GS =4.5V, I D =4.5A
V GS =4.0V, I D =4.5A
-
-
36
40
51
56
m W
V GS =10V, I D =4.5A, T j =125°C
-
50
70
Gate input resistannce
Transconductance
R G
g fs *5
f = 1MHz, open drain
V DS =10V, I D =4.5A
-
3.5
6
7.0
-
-
W
S
*1 Limited only by maximum temperature allowed.
*2 Pw ? 10 m s, Duty cycle ? 1%
*3 Mounted on a ceramic board (30×30×0.8mm)
*4 Mounted on a FR4 (15×20×0.8mm)
*5 Pulsed
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.10 - Rev.B
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参数描述 |
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