参数资料
型号: RSQ045N03TR
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 5/12页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
产品目录绘图: TSMT-6 Package Top
特色产品: ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 38 毫欧 @ 4.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 9.5nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 520pF @ 10V
功率 - 最大: 1.25W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装: TSMT6
包装: 标准包装
产品目录页面: 1638 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: RSQ045N03DKR
RSQ045N03
l Electrical characteristic curves
Fig.5 Typical Output Characteristics(I)
4
Data Sheet
Fig.6 Typical Output Characteristics(II)
4
3.5
3
2.5
V GS = 10.0V
V GS = 4.0V
V GS = 2.8V
T a =25oC
Pulsed
3.5
3
2.5
V GS = 4.0V
V GS = 2.8V
V GS = 2.5V
T a =25oC
Pulsed
2
1.5
1
V GS = 2.5V
2
1.5
1
0.5
V GS = 2.0V
0.5
V GS = 2.0V
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
2
4
6
8
10
Drain - Source Voltage : V DS [V]
Fig.7 Breakdown Voltage
vs. Junction Temperature
60
V GS = 0V
I D = 1mA
Pulsed
40
20
Drain - Source Voltage : V DS [V]
Fig.8 Typical Transfer Characteristics
0
-50
0
50
100
150
Junction Temperature : T j [ ° C ]
Gate - Source Voltage : V GS [V]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.10 - Rev.B
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