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参数资料
| 型号： | S29GL256N80TFIV10 |
| 厂商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | MirrorBit Flash Family |
| 中文描述： | MirrorBit闪存系列 |
| 文件页数： | 105/110页 |
| 文件大小： | 2624K |
| 代理商： | S29GL256N80TFIV10 |
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94
S29GLxxxN MirrorBitTM Flash Family
27631A4 May 13, 2004
Adva nce
Inform at i o n
AC Characteristics
Erase and Program Operations–S29GL256N Only
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
3. For 1–16 words/1–32 bytes programmed.
4. Effective write buffer specification is based upon a 16-word/32-byte write buffer operation.
5. Unless otherwise indicated, AC specifications for 80 ns and 90 ns speed options are tested with VIO = VCC = 3 V.
AC specifications for 90 ns and 100 ns speed options are tested with VIO = 1.8 V and VCC = 3.0 V.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std.
Description
80
90
100
Unit
tAVAV
tWC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
80
90
100
ns
tAVWL
tAS
Address Setup Time
Min
0
ns
tASO
Address Setup Time to OE# low during toggle
bit polling
Min
15
ns
tWLAX
tAH
Address Hold Time
Min
45
ns
tAHT
Address Hold Time From CE# or OE# high
during toggle bit polling
Min
0
ns
tDVWH
tDS
Data Setup Time
Min
45
ns
tWHDX
tDH
Data Hold Time
Min
0
ns
tOEPH Output Enable High during toggle bit polling
Min
20
ns
tGHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
tELWL
tCS
CE# Setup Time
Min
0
ns
tWHEH
tCH
CE# Hold Time
Min
0
ns
tWLWH
tWP
Write Pulse Width
Min
35
ns
tWHDL
tWPH Write Pulse Width High
Min
30
ns
tWHWH1 tWHWH1
Write Buffer Program Operation (Notes 2, 3)
Typ
240
s
Effective Write Buffer Program
Operation (Notes 2, 4)
Per Word
Typ
15
s
Accelerated Effective Write Buffer
Program Operation (Notes 2, 4)
Per Word
Typ
13.5
s
Program Operation (Note 2)
Word
Typ
60
s
Accelerated Programming
Operation (Note 2)
Word
Typ
54
s
tWHWH2 tWHWH2 Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
1.0
sec
tVHH VHH Rise and Fall Time (Note 1)
Min
250
ns
tVCS VCC Setup Time (Note 1)
Min
50
s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL256N90TFIV10 | MirrorBit Flash Family |
| S29GL256N10TFIV10 | MirrorBit Flash Family |
| S29GL256N80FFIV10 | MirrorBit Flash Family |
| S29AL008D55TFNR11 | SSR OCMOS FET 350MA NO 8-DIP |
| S29AL008D70TFNR11 | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S29GL256N90FFIR10 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3.3V 256M-Bit 32M x 8/16M x 16 90ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
| S29GL256N90FFIR22 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL256N90TFIR10 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3.3V 256Mbit 32M/16M x 8bit/16bit 90ns 56-Pin TSOP Tray 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
| S29GL256N90TFIR2 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL256N90TFIR20 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3.3V 256M-Bit 32M x 8/16M x 16 90ns 56-Pin TSOP Tray 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
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