- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录270895 > S29GL256N80TFIV10 (Spansion Inc.) MirrorBit Flash Family PDF资料下载
参数资料
| 型号： | S29GL256N80TFIV10 |
| 厂商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | MirrorBit Flash Family |
| 中文描述： | MirrorBit闪存系列 |
| 文件页数： | 4/110页 |
| 文件大小： | 2624K |
| 代理商： | S29GL256N80TFIV10 |
第1页第2页第3页当前第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页
May 13, 2004 27631A4
S29GLxxxN MirrorBitTM Flash Family
101
Ad va nc e
Inform ati o n
AC Characteristics
Alternate CE# Controlled Erase and Program Operations–S29GL256N Only
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “AC Characteristics” section for more information.
3. For 1–16 words/1–32 bytes programmed.
4. Effective write buffer specification is based upon a 16-word/32-byte write buffer operation.
5. Unless otherwise indicated, AC specifications for 80 ns and 90 ns speed options are tested with VIO = VCC = 3 V. AC
specifications for 90 ns and 100 ns speed options are tested with VIO = 1.8 V and VCC = 3.0 V.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std.
Description
80
90
100
Unit
tAVAV
tWC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
80
90
100
ns
tAVWL
tAS
Address Setup Time
Min
0
ns
tELAX
tAH
Address Hold Time
Min
45
ns
tDVEH
tDS
Data Setup Time
Min
45
ns
tEHDX
tDH
Data Hold Time
Min
0
ns
tGHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
tWLEL
tWS
WE# Setup Time
Min
0
ns
tEHWH
tWH
WE# Hold Time
Min
0
ns
tELEH
tCP
CE# Pulse Width
Min
45
ns
tEHEL
tCPH
CE# Pulse Width High
Min
30
ns
tWHWH1 tWHWH1
Write Buffer Program Operation (Notes 2,
3)
Typ
240
s
Effective Write Buffer
Program Operation (Notes
2, 4)
Per Word
Typ
15
s
Effective Accelerated Write
Buffer Program Operation
(Notes 2, 4)
Per Word
Typ
13.5
s
Program Operation (Note 2)
Word
Typ
60
s
Accelerated Programming
Operation (Note 2)
Word
Typ
54
s
tWHWH2 tWHWH2 Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
1.0
sec
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL256N90TFIV10 | MirrorBit Flash Family |
| S29GL256N10TFIV10 | MirrorBit Flash Family |
| S29GL256N80FFIV10 | MirrorBit Flash Family |
| S29AL008D55TFNR11 | SSR OCMOS FET 350MA NO 8-DIP |
| S29AL008D70TFNR11 | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S29GL256N90FFIR10 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3.3V 256M-Bit 32M x 8/16M x 16 90ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
| S29GL256N90FFIR22 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL256N90TFIR10 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3.3V 256Mbit 32M/16M x 8bit/16bit 90ns 56-Pin TSOP Tray 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
| S29GL256N90TFIR2 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL256N90TFIR20 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3.3V 256M-Bit 32M x 8/16M x 16 90ns 56-Pin TSOP Tray 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。