参数资料
型号: SBAS16WT1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/5页
文件大小: 55K
描述: DIODE SWITCH 200MA 75V SOT323
标准包装: 3,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 75V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 150mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr): 6ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1µA @ 75V
电容@ Vr, F: 2pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商设备封装: SC-70
包装: 带卷 (TR)
BAS16WT1G
http://onsemi.com
4
100
0.1
0.2 0.4
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
0.6 0.8 1.0
1.2
10
1.0
TA
= 85
°C
10
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.0
0.1
0.01
0.001
10 20 30 40
50
0.68
0.520
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.64
0.60
0.56
C
D
, DIODE CAPACITANCE (pF)
2468
I
F
, FORWARD CURRENT (mA)
Figure 4. Forward Voltage Figure 5. Leakage Current
Figure 6. Capacitance
TA
= -
°C
TA
= 25
°C
TA
= 150
°C
TA
= 125
°C
TA
= 85
°C
TA
= 55
°C
TA
= 25
°C
I
R
, REVERSE CURRENT (
μ
A)
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PDF描述
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参数描述
SBAS16XV2T1G 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 SS SWITCHING DIODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
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