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参数资料
| 型号： | SGH30N60RUFDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT SHORT CIRC 600V 30A TO-3P |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 30 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.8V @ 15V，30A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 48A |
| 功率 - 最大： | 235W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
Electrical Characteristics of the IGBT T C
= 25 ° C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristics
BV CES
? B VCES /
? T J
I CES
I GES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Temperature Coefficient of Breakdown
Voltage
Collector Cut-Off Current
G-E Leakage Current
V GE = 0V, I C = 250uA
V GE = 0V, I C = 1mA
V CE = V CES , V GE = 0V
V GE = V GES , V CE = 0V
600
--
--
--
--
0.6
--
--
--
--
250
± 100
V
V/ ° C
uA
nA
On Characteristics
V GE(th)
G-E Threshold Voltage
I C = 30mA, V CE = V GE
5.0
6.0
8.5
V
V CE(sat)
Collector to Emitter
Saturation Voltage
I C = 30A ,
I C = 48A ,
V GE = 15V
V GE = 15V
--
--
2.2
2.5
2.8
--
V
V
Dynamic Characteristics
C ies
C oes
C res
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V CE = 30V , V GE = 0V,
f = 1MHz
--
--
--
1970
310
74
--
--
--
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on)
t r
Turn-On Delay Time
Rise Time
--
--
30
65
--
--
ns
ns
t d(off)
t f
E on
E off
E ts
t d(on)
t r
t d(off)
t f
E on
E off
E ts
T sc
Q g
Q ge
Q gc
L e
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-On Switching Loss
Turn-Off Switching Loss
Total Switching Loss
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-On Switching Loss
Turn-Off Switching Loss
Total Switching Loss
Short Circuit Withstand Time
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
Internal Emitter Inductance
V CC = 300 V, I C = 30A,
R G = 7 ? , V GE = 15V,
Inductive Load, T C = 25 ° C
V CC = 300 V, I C = 30A,
R G = 7 ? , V GE = 15V,
Inductive Load, T C = 125 ° C
V CC = 300 V, V GE = 15V
@ T C = 100 ° C
V CE = 300 V, I C = 30A,
V GE = 15V
Measured 5mm from PKG
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
10
--
--
--
--
54
138
919
814
1733
34
67
60
281
921
1556
2477
--
85
17
39
14
80
200
--
--
2430
--
--
90
400
--
--
3470
--
120
25
55
--
ns
ns
uJ
uJ
uJ
ns
ns
ns
ns
uJ
uJ
uJ
us
nC
nC
nC
nH
Electrical Characteristics of DIODE T C
= 25 ° C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
V FM
t rr
I rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Diode Reverse Recovery Time
Diode Peak Reverse Recovery
Current
Diode Reverse Recovery Charge
I F = 25A
I F = 25A,
di/dt = 200 A/us
T C = 25 ° C
T C = 100 ° C
T C = 25 ° C
T C = 100 ° C
T C = 25 ° C
T C = 100 ° C
T C = 25 ° C
T C = 100 ° C
--
--
--
--
--
--
--
--
1.4
1.3
50
105
4.5
8.5
112
420
1.7
--
95
--
10
--
375
--
V
ns
A
nC
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
SGH30N60RUFD Rev. B1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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