- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录506 > SGH30N60RUFDTU (Fairchild Semiconductor)IGBT SHORT CIRC 600V 30A TO-3P Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SGH30N60RUFDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT SHORT CIRC 600V 30A TO-3P |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 30 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.8V @ 15V，30A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 48A |
| 功率 - 最大： | 235W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
10000
Common Emitter
15
Common Emitter
V GE = ± 15V, R G = 7 ?
T C = 25 ℃ ━━
T C = 125 ℃ ------
12
R L = 10 ?
T C = 25 ℃
V CC = 100 V
300 V
Eoff
200 V
Eon
9
1000
Eoff
6
3
100
0
15
30
45
60
0
20
40
60
80
100
Collector Current, I C [A]
Fig 13. Switching Loss vs. Collector Current
200
Gate Charge, Q g [ nC ]
Fig 14. Gate Charge Characteristics
100
I C MAX. (Pulsed)
50us
100
I C MAX. (Continuous)
100us
1 ?
10
DC Operation
10
1
Single Nonrepetitive
Pulse T C = 25 ℃
Curves must be derated
0.1
linearly with increase
in temperature
0.3 1
10
100
1000
1
1
10
Safe Operating Area
V GE = 20V, T C = 100 ℃
100
1000
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Fig 15. SOA Characteristics
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Fig 16. Turn-Off SOA Characteristics
Pdm
0.01
0.01
t1
t2
1E-3
single pulse
Duty factor D = t1 / t2
Peak Tj = Pdm × Zthjc + T C
10
10
10
-5
10
-4
-3
10
-2
10
-1
0
10
1
Rectangular Pulse Duration [sec]
Fig 17. Transient Thermal Impedance of IGBT
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
SGH30N60RUFD Rev. B1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SGH40N60UFDTU | IGBT HI PERFORM 600V 20A TO-3P |
| SGH40N60UFTU | IGBT HI PERFORM 600V 20A TO-3P |
| SGH80N60UFDTU | IGBT HI PERFORM 100V 28A TO-3P |
| SGH80N60UFTU | IGBT HI PERFORM 00V 40A TO-3P |
| SGL160N60UFDTU | IGBT ULTRA FAST 600V 160A TO264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SGH30N60RUFTU | 功能描述:IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| SGH40N60 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT |
| SGH40N60UF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT |
| SGH40N60UFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT |
| SGH40N60UFDM1TU | 功能描述:IGBT 晶体管 600V/20A/WFRD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。