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参数资料
| 型号： | SGH30N60RUFDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT SHORT CIRC 600V 30A TO-3P |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 30 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.8V @ 15V，30A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 48A |
| 功率 - 最大： | 235W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
Mechanical Dimensions
TO-3PN
Dimensions in Millimeters
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
SGH30N60RUFD Rev. B1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SGH40N60UFDTU | IGBT HI PERFORM 600V 20A TO-3P |
| SGH40N60UFTU | IGBT HI PERFORM 600V 20A TO-3P |
| SGH80N60UFDTU | IGBT HI PERFORM 100V 28A TO-3P |
| SGH80N60UFTU | IGBT HI PERFORM 00V 40A TO-3P |
| SGL160N60UFDTU | IGBT ULTRA FAST 600V 160A TO264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SGH30N60RUFTU | 功能描述:IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| SGH40N60 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT |
| SGH40N60UF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT |
| SGH40N60UFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT |
| SGH40N60UFDM1TU | 功能描述:IGBT 晶体管 600V/20A/WFRD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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