- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录507 > SGH40N60UFTU (Fairchild Semiconductor)IGBT HI PERFORM 600V 20A TO-3P Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SGH40N60UFTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT HI PERFORM 600V 20A TO-3P |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 30 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.6V @ 15V，20A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 40A |
| 功率 - 最大： | 160W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
2500
Common Emitter
300
Common Emitter
2000
Cies
V GE = 0V, f = 1MHz
T C = 25 ℃
100
V CC = 300V, V GE = ± 15V
I C = 20A
T C = 25 ℃
T C = 125 ℃
Ton
Tr
1500
1000
Coes
500
Cres
0
10
1
10
30
1
10
100
200
Collector - Emitter Voltage, V CE [V]
Fig 7. Capacitance Characteristics
Gate Resistance, R G [ ? ]
Fig 8. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
1000
Common Emitter
2000
Common Emitter
V CC = 300V, V GE = ± 15V
I C = 20A
T C = 25 ℃
T C = 125 ℃
Toff
1000
V CC = 300V, V GE = ± 15V
I C = 20A
T C = 25 ℃
T C = 125 ℃
Eon
Eoff
Tf
Eon
Eoff
100
Tf
100
20
50
1
10
100
200
1
10
100
200
Gate Resistance, R G [ ? ]
Fig 9. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
Gate Resistance, R G [ ? ]
Fig 10. Switching Loss vs. Gate Resistance
200
100
Ton
Common Emitter
1000
100
Common Emitter
V CC = 300V, V GE = ± 15V
R G = 10 ?
T C = 25 ℃
T C = 125 ℃
Toff
Tf
Toff
10
Tr
V CC = 300V, V GE = ± 15V
R G = 10 ?
T C = 25 ℃
T C = 125 ℃
20
Tf
10
15
20
25
30
35
40
10
15
20
25
30
35
40
Collector Current, I C [A]
Fig 11. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
Collector Current, I C [A]
Fig 12. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
SGH40N60UF Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SGH80N60UFDTU | IGBT HI PERFORM 100V 28A TO-3P |
| SGH80N60UFTU | IGBT HI PERFORM 00V 40A TO-3P |
| SGL160N60UFDTU | IGBT ULTRA FAST 600V 160A TO264 |
| SGL50N60RUFDTU | IGBT 80A 600V W/DIODE TO-264 |
| SGP10N60RUFDTU | IGBT W/DIODE 600V 10A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SGH5N120RUF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT |
| SGH5N120RUFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT |
| SGH5N120RUFDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| SGH5N120RUFTU | 功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| SG-H6500 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:Black Hawk RC Helicopter |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。