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参数资料
| 型号： | SGH40N60UFTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT HI PERFORM 600V 20A TO-3P |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 30 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.6V @ 15V，20A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 40A |
| 功率 - 最大： | 160W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
3000
15
Common Emitter
R L = 15 ?
1000
Eoff
Eon
12
9
T C = 25 ℃
300 V
100
Eoff
Eon
Common Emitter
6
V CC = 100 V
200 V
V CC = 300V, V GE = ± 15V
R G = 10 ?
T C = 25 ℃
3
10
T C = 125 ℃
0
10
15
20
25
30
35
40
0
30
60
90
120
Collector Current, I C [A]
Fig 13. Switching Loss vs. Collector Current
500
I C MAX. (Pulsed)
100
50us
Gate Charge, Q g [ nC ]
Fig 14. Gate Charge Characteristics
500
100
10
I C MAX. (Continuous)
DC Operation
1 ?
100us
10
V GE =20V, T C =100 C
1
Single Nonrepetitive
Pulse T C = 25 ℃
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
1
Safe Operating Area
o
0.1
0.3
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Fig 15. SOA Characteristics
1
0.5
0.2
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Fig 16. Turn-Off SOA Characteristics
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
single pulse
Pdm
t1
t2
Duty factor D = t1 / t2
Peak Tj = Pdm ? Zthjc + T C
1E-3
10
10
-5
10
-4
10
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
Rectangular Pulse Duration [sec]
Fig 17. Transient Thermal Impedance of IGBT
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
SGH40N60UF Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SGH80N60UFDTU | IGBT HI PERFORM 100V 28A TO-3P |
| SGH80N60UFTU | IGBT HI PERFORM 00V 40A TO-3P |
| SGL160N60UFDTU | IGBT ULTRA FAST 600V 160A TO264 |
| SGL50N60RUFDTU | IGBT 80A 600V W/DIODE TO-264 |
| SGP10N60RUFDTU | IGBT W/DIODE 600V 10A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SGH5N120RUF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT |
| SGH5N120RUFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT |
| SGH5N120RUFDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| SGH5N120RUFTU | 功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| SG-H6500 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:Black Hawk RC Helicopter |
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