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参数资料
| 型号： | SGS5N150UFTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT SWITCHING 1500V 5A TO-220F |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-220F Package |
| 标准包装： | 50 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1500V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 5.5V @ 10V，5A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 10A |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
IGBT
SGS5N150UF
General Description
Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor ( IGBT)
provides low conduction and switching losses.
SGS5N150UF is designed for the Switching Power
Features
? High Speed Switching
? Low Saturation Voltage : V CE(sat) = 4.7 V @ I C = 5A
? High Input Impedance
Supply applications.
Application
Switching Power Supply - High Input Voltage Off-line Converter
C
G
G C
E
TO-220F
E
Absolute Maximum Ratings
T C = 25 ° C unless otherwise noted
Symbol
Description
SGS5N150UF
Units
V CES
V GES
I C
I CM (1)
P D
T J
T stg
T L
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Collector Current
Collector Current
Pulsed Collector Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction Temperature
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8” from Case for 5 Seconds
@ T C = 25 ° C
@ T C = 100 ° C
@ T C = 25 ° C
@ T C = 100 ° C
1500
± 20
10
5
20
50
20
-55 to +150
-55 to +150
300
V
V
A
A
A
W
W
° C
° C
° C
Notes :
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature
Thermal Characteristics
Symbol
R θ JC
R θ JA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Typ.
--
--
Max.
2.5
62.5
Units
° C / W
° C / W
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
SGS5N150UF Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SH8J62TB1 | MOSFET P-CH DUAL 30V 4.5A SOP8 |
| SH8J66TB1 | MOSFET P-CH DUAL 30V 9A SOP8 |
| SH8K22TB1 | MOSFET N-CH DUAL 45V 4.5A SOP8 |
| SH8K32TB1 | MOSFET N-CH DUAL 60V 4.5A SOP8 |
| SH8M41TB1 | MOSFET N/P-CH 80V SOP8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SGS5N60RUF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT |
| SGS5N60RUFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT |
| SGS5N60RUFDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 600V/5A/w/FRD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| SGS5N60RUFTU | 功能描述:IGBT 晶体管 600V/5A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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