- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录507 > SH8J62TB1 (Rohm Semiconductor)MOSFET P-CH DUAL 30V 4.5A SOP8 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SH8J62TB1 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 30V 4.5A SOP8 |
| 产品目录绘图： | xTB1 Series SOP-8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 56 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 800pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SH8J62TB1DKR |
4V Drive Pch+Pch MOSFET
SH8J62
? Structure
Silicon P-channel MOSFET
? Dimensions (Unit : mm)
SOP8
? Features
1) Low On-resistance.
2) Built-in G-S Protection Diode.
3) Small Surface Mount Package (SOP8).
? Application
Switching
Each lead has same dimensions
? Packaging specifications
? Inner circuit
Package
Taping
(8)
(7)
(6)
(5)
Type
SH8J62
Code
Basic ordering unit (pieces)
TB
2500
? 2
? 2
(1) Tr1 Source
? 1
? 1
(2) Tr1 Gate
(3) Tr2 Source
(4) Tr2 Gate
(1)
(2)
(3)
(4)
(5) Tr2 Drain
(6) Tr2 Drain
? Absolute maximum ratings (Ta=25 ? C)
<It is the same ratings for the Tr1 and Tr2.>
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(7) Tr1 Drain
(8) Tr1 Drain
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
? 30
± 20
Unit
V
V
Drain current
Source current
(Body diode)
Total power dissipation
Channel temperature
Range of Storage temperature
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP
I S
I SP
P D
Tch
Tstg
? 1
? 1
? 2
± 4.5
± 18
? 1.6
? 18
2.0
1.4
150
? 55 to + 150
A
A
A
A
W / TOTAL
W / ELEMENT
° C
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 Mounted on a ceramic board
www.rohm.com
c 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/5
2010.01 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SH8J66TB1 | MOSFET P-CH DUAL 30V 9A SOP8 |
| SH8K22TB1 | MOSFET N-CH DUAL 45V 4.5A SOP8 |
| SH8K32TB1 | MOSFET N-CH DUAL 60V 4.5A SOP8 |
| SH8M41TB1 | MOSFET N/P-CH 80V SOP8 |
| SH8M70TB1 | MOSFET N/P-CH 250V SOP8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SH8J65 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch+Pch MOSFET |
| SH8J65_11 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch+Pch MOSFET |
| SH8J65TB | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| SH8J65TB1 | 功能描述:MOSFET Pch+Pch -30V -7A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SH8J66 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch+Pch MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。