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参数资料
| 型号： | SH8J62TB1 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 30V 4.5A SOP8 |
| 产品目录绘图： | xTB1 Series SOP-8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 56 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 800pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SH8J62TB1DKR |
SH8J62
? Electrical characteristic curves
Data Sheet
20
15
10
Ta=25°C
Pulsed
V GS = -10V
V GS = -4.5V
V GS = -4.0V
20
18
16
14
12
10
Ta=25°C
V GS = -10V Pulsed
V GS = -4.5V
V GS = -4.0V
V GS = -3.8V
10
1
V DS = -10V
Pulsed
Ta= 125°C
Ta= 75°C
Ta= 25°C
Ta= - 25°C
8
5
V GS = -3.5V
6
4
V GS = -3.2V
0.1
V GS = -3.0V
2
0
0
0.01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
2
4
6
8
10
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1000
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
Fig.1 Typical output characteristics( Ⅰ )
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
Fig.2 Typical output characteristics( Ⅱ )
1000
1000
GATE-SOURCE VOLTAGE : -V GS [V]
Fig.3 Typical Transfer Characteristics
Ta=25°C
Pulsed
V GS = -4.0V
V GS = -4.5V
V GS = -10V
V GS = -10V
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C
V GS = -4.5V
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C
100
10
100
10
100
10
0.1
1
10
0.1
1
10
0.1
1
10
1000
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.4 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅰ )
10
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.5 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅱ )
10
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.6 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅲ )
V GS = -4.0V
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
V DS = -10V
Pulsed
V GS =0V
Pulsed
100
Ta=25°C
Ta= -25°C
1
1
Ta= -25°C
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=125°C
0.1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C
10
0.1
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
0.0
0.5
1.0
1.5
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.7 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅳ )
www.rohm.com
c 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.8 Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
3/5
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : -V SD [V]
Fig.9 Reverse Drain Current
vs. Sourse-Drain Voltage
2010.01 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SH8J66TB1 | MOSFET P-CH DUAL 30V 9A SOP8 |
| SH8K22TB1 | MOSFET N-CH DUAL 45V 4.5A SOP8 |
| SH8K32TB1 | MOSFET N-CH DUAL 60V 4.5A SOP8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SH8J65 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch+Pch MOSFET |
| SH8J65_11 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch+Pch MOSFET |
| SH8J65TB | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| SH8J65TB1 | 功能描述:MOSFET Pch+Pch -30V -7A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SH8J66 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch+Pch MOSFET |
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