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参数资料
| 型号： | SH8J62TB1 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 30V 4.5A SOP8 |
| 产品目录绘图： | xTB1 Series SOP-8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 56 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 800pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SH8J62TB1DKR |
SH8J62
Data Sheet
200
Ta=25°C
10000
Ta=25°C
10
150
I D = -4.5A
Pulsed
1000
t d(off)
V DD = -15V
V GS =-10V
8
100
I D = -2.5A
100
t f
R G =10 Ω
Pulsed
6
50
10
t r
t d(on)
4
2
Ta=25°C
V DD = -15V
I D = -4.5A
R G =10 Ω
Pulsed
0
1
0
0
5
10
15
0.01
0.1
1
10
0
5
10
15
10000
GATE-SOURCE VOLTAGE : -V GS [V]
Fig.10 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage
1000
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.11 Switching Characteristics
TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]
Fig.12 Dynamic Input Characteristics
Ta=25°C
f=1MHz
V GS =0V
Ciss
100
Operation in this area is limited by R DS(on)
(V GS =-10V)
P W = 1ms P W =100us
1000
10
100
1
DC operation
P W =10ms
10
Coss
Crss
0.1
0.01
Ta = 25°C
Single Pulse
MOUNTED ON CERAMIC BOARD
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
10
1
0.1
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
Fig.13 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
Ta = 25°C
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
Fig.14 Maximum Safe Operating Area
0.01
Single Pulse : 1Unit
Rth(ch-a)(t) = r(t)×Rth(ch-a)
Rth(ch-a) = 89.3 °C/W
<Mounted on a CERAMIC board>
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE WIDTH : Pw(s)
Fig.15 Normalized Transient Thermal Resistance vs. Pulse Width
www.rohm.com
c 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2010.01 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SH8J66TB1 | MOSFET P-CH DUAL 30V 9A SOP8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SH8J65_11 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch+Pch MOSFET |
| SH8J65TB | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| SH8J65TB1 | 功能描述:MOSFET Pch+Pch -30V -7A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SH8J66 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch+Pch MOSFET |
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