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参数资料
| 型号： | SH8K22TB1 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 45V 4.5A SOP8 |
| 产品目录绘图： | xTB1 Series SOP-8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 45V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 46 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.6nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SH8K22TB1DKR |
4V Drive Nch+Nch MOSFET
SH8K22
? Structure
Silicon N-channel MOSFET
? Dimensions (Unit : mm)
SOP8
? Features
1) Built-in G-S Protection Diode.
2) Small surface Mount Package (SOP8).
? Application
Power switching, DC / DC converter, Inverter
Each lead has same dimensions
? Packaging specifications
? Inner circuit
Package
Taping
(8)
(7)
(6)
(5)
(8) (7) (6) (5)
Type
SH8K22
Code
Basic ordering unit (pieces)
TB
2500
? 2
? 2
(1) (2) (3) (4)
? Absolute maximum ratings (Ta=25 ? C)
<It is the same ratings for the Tr1 and Tr2.>
? 1
? 1
(1) Tr1 Source
(2) Tr1 Gate
(3) Tr2 Source
(4) Tr2 Gate
Parameter
Symbol
Limits Unit
(1)
(2)
(3)
(4)
(5) Tr2 Drain
(6) Tr2 Drain
Drain-source voltage
V DSS
45
V
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(7) Tr1 Drain
(8) Tr1 Drain
Gate-source voltage
Drain current
Source current
Continuous
Pulsed
Continuous
V GSS
I D
I DP *1
I S
±20 V
±4.5 A
±18 A
1 A
? A protection diode is included between the gate and
the source terminals to protect the diode against static
electricity when the product is in use. Use the protection
circuit when the fixed voltages are exceeded.
(Body diode)
Pulsed
I SP *1
18
A
Total power dissipation
P D
*2
2 W / TOTAL
1.4 W / ELEMENT
Chanel temperature
Range of Storage temperature
T ch
T stg
150
-55 to +150
o
o
C
C
*1 PW ? 10 ? ｓ、 Duty cycle ? 1 ?
*2 Mounted on a ceramic board
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.12 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SH8K32TB1 | MOSFET N-CH DUAL 60V 4.5A SOP8 |
| SH8M41TB1 | MOSFET N/P-CH 80V SOP8 |
| SH8M70TB1 | MOSFET N/P-CH 250V SOP8 |
| SI-300CC | CONTROLLER FOR VC-04 CAMERA |
| SI1010DK | DEVELOPMENT KIT SI101X |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SH8K2TB1 | 功能描述:MOSFET Nch+Nch 30V 6A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SH8K3 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch+Nch MOSFET |
| SH8K32 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch+Nch MOSFET |
| SH8K32TB | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| SH8K32TB1 | 功能描述:MOSFET Nch+Nch 60V 4.5A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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