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参数资料
| 型号： | SH8K22TB1 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 45V 4.5A SOP8 |
| 产品目录绘图： | xTB1 Series SOP-8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 45V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 46 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.6nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SH8K22TB1DKR |
SH8K22
? Electrical characteristic curves
Data Sheet
Ta=125 C
75 C
10
V DS =10V
pulsed
1000
o
o
V GS =10V
pulsed
1000
V GS =4.5V
pulsed
25 C
o
Ta=125 C
-25 C
1
o
100
o
100
75 C
25 C
o
o
-25 C
0.1
o
10
10
Ta=125 o C
75 o C
25 o C
-25 o C
0.01
1
1
1.0
1.5 2.0 2.5 3.0
Gate-Source Voltage : V GS [V]
3.5
0.01
0.1 1
Drain Current : I D [A]
10
0.01
0.1 1
Drain Current : I D [A]
10
Fig.1 Typical Transfer Characteristics
Fig.2 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current (1)
Fig.3 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current (2)
1000
V GS =4V
200
Ta=25 o C
10
V GS =0V
100
pulsed
150
100
pulsed
1
pulsed
Ta=125 o C
75 o C
25 o C
Ta=125 C
10
o
75 o C
I D =4.5A
7
0.1
-25 o C
25 C
o
50
-25 o C
I D =2.25A
1
0
0.01
0.01
0.1
1
10
0
5
10
15
0
0.5
1
1.5
Drain Current : I D [A]
Fig.4 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current (3)
Gate-Source Voltage : V GS [V]
Fig.5 Static Drain-Source
On-State Resistance vs.
Gate-Source Voltage
Source-Drain Voltage : V SD [V]
Fig.6 Source-Current vs.
Source-Drain Voltage
10000
Ta=25 o C
10000
Ta=25 o C
10
Ta=25 o C
1000
f=1MHz
V GS =0V
C iss
1000
t f
V DD =25V
V GS =10V
R G =10 ?
Pulsed
8
6
V DD =25V
I D =4.5A
R G =10 ?
Pulsed
100
100
C oss
t d(off)
t d(on)
4
C rss
10
t r
2
10
1
0
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
0
2
4
6
8
10
12
Drain-Source Voltage : V DS [V]
Fig.7 Typical capacitance vs.
Source-Drain Voltage
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Drain Current : I D [A]
Fig.8 Switching Characteristics
3/4
Total Gate Charge : Qg [nC]
Fig.9 Dynamic Input Characteristics
2009.12 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SH8K32TB1 | MOSFET N-CH DUAL 60V 4.5A SOP8 |
| SH8M41TB1 | MOSFET N/P-CH 80V SOP8 |
| SH8M70TB1 | MOSFET N/P-CH 250V SOP8 |
| SI-300CC | CONTROLLER FOR VC-04 CAMERA |
| SI1010DK | DEVELOPMENT KIT SI101X |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SH8K2TB1 | 功能描述:MOSFET Nch+Nch 30V 6A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SH8K3 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch+Nch MOSFET |
| SH8K32 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch+Nch MOSFET |
| SH8K32TB | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| SH8K32TB1 | 功能描述:MOSFET Nch+Nch 60V 4.5A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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