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参数资料
| 型号： | SH8K22TB1 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 45V 4.5A SOP8 |
| 产品目录绘图： | xTB1 Series SOP-8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 45V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 46 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.6nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SH8K22TB1DKR |
SH8K22
? Electrical characteristics (Ta=25 ? C)
<It is the same characteristics for the Tr1 and Tr2.>
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
± 10
Unit
μ A
Conditions
V GS = ± 20V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
45
?
?
V
I D = 1mA, V GS =0V
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
I DSS
V GS (th)
R DS (on) ?
?
1.0
?
?
?
?
?
33
41
46
1
2.5
46
57
64
μ A
V
m Ω
m Ω
m Ω
V DS = 45V, V GS =0V
V DS = 10V, I D = 1mA
I D = 4.5A, V GS = 10V
I D = 4.5A, V GS = 4.5V
I D = 4.5A, V GS = 4.0V
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Y fs
C iss
C oss
C rss
t d (on)
t r
t d (off)
t f
?
?
?
?
?
3.5
?
?
?
?
?
?
?
?
550
140
70
12
18
42
12
?
?
?
?
?
?
?
?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V DS = 10V, I D = 4.5A
V DS = 10V
V GS =0V
f=1MHz
V DD 25V
I D = 2.5A
V GS = 10V
R L = 10 Ω
R G =10 Ω
Total gate charge
Q g
?
?
6.8
9.6
nC
V DD
25V, V GS = 5V
Gate-source charge
Gate-drain charge
Q gs
Q gd
?
?
?
?
2.0
2.9
?
?
nC
nC
I D = 4.5A
R L = 5.6 Ω, R G = 10 Ω
? Pulsed
? Body diode characteristics (Source-Drain) (Ta=25 ? C)
<It is the same characteristics for the Tr1 and Tr2.>
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Condition
Forward voltage
V SD
*
－
－
1.2
V
I S =4.5A/V GS =0V
* pulsed
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.12 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SH8K32TB1 | MOSFET N-CH DUAL 60V 4.5A SOP8 |
| SH8M41TB1 | MOSFET N/P-CH 80V SOP8 |
| SH8M70TB1 | MOSFET N/P-CH 250V SOP8 |
| SI-300CC | CONTROLLER FOR VC-04 CAMERA |
| SI1010DK | DEVELOPMENT KIT SI101X |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SH8K2TB1 | 功能描述:MOSFET Nch+Nch 30V 6A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SH8K3 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch+Nch MOSFET |
| SH8K32 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch+Nch MOSFET |
| SH8K32TB | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| SH8K32TB1 | 功能描述:MOSFET Nch+Nch 60V 4.5A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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