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参数资料
| 型号： | SH8J66TB1 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 30V 9A SOP8 |
| 产品目录绘图： | xTB1 Series SOP-8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18.5 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3000pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SH8J66TB1DKR |
SH8J66
Data Sheet
50
45
40
Ta=25°C
Pulsed
10000
1000
t d(off)
t f
Ta=25°C
V DD = -15V
V GS =-10V
R G =10 ?
10
8
Pulsed
35
30
I D = -9.0A
100
6
25
20
I D = -4.5A
10
4
Ta=25°C
V DD = -15V
15
t r
t d(on)
2
I D = -9.0A
R G =10 ?
Pulsed
10
1
0
0
5
10
15
0.01
0.1
1
10
0
10
20
30
40
50
60
70
GATE-SOURCE VOLTAGE : -V GS [V]
TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]
10000
Fig.10 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage
Ciss
1000
100
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.11 Switching Characteristics
Operation in this area is limited by R DS(on)
(V GS =-10V)
P W =100us
Fig.12 Dynamic Input Characteristics
1000
10
Crss
P W = 10ms
100
Coss
1
P W =1ms
Ta=25°C
10
f=1MHz
V GS =0V
0.1
0.01
Ta = 25°C
Single Pulse
MOUNTED ON CERAMIC BOARD
DC operation
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
10
1
0.1
Fig.13 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
T a = 25°C
Single Pulse : 1Unit
Fig.14 Maximum Safe Operating Aera
0.01
Rth(ch-a)(t) = r(t)×Rth(ch-a)
Rth(ch-a) = 89.3 °C/W
<Mounted on a CERAMIC board>
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE WIDTH : Pw(s)
Fig.15 Normalized Transient Thermal Resistance vs. Pulse Width
www.rohm.com
c 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2010.01 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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