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参数资料
| 型号： | SI1031R-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 140MA SC-75A |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 140mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 欧姆 @ 150mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.5nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-75A |
| 供应商设备封装： | SC-75A |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI1031R-T1-GE3DKR |
Si1031R/X
Vishay Siliconix
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( ? )
8 at V GS = - 4.5 V
I D (mA)
- 150
FEATURES
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? High-Side Switching
- 20
12 at V GS = - 2.5 V
15 at V GS = - 1.8 V
20 at V GS = - 1.5 V
- 125
- 100
- 30
? Low On-Resistance: 8 ?
? Low Threshold: 0.9 V (typ.)
? Fast Switching Speed: 45 ns
? TrenchFET ? Power MOSFETs: 1.5 V Rated
? ESD Protected: 2000 V
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays,
Memories
SC-75A or SC-89
? Battery Operated Systems
? Power Supply Converter Circuits
G
1
SC-75A (SOT - 416): Si1031R
? Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
3
D
SC-89 (SOT - 490): Si1031X
BENEFITS
?
Ease in Driving Switches
S
2
Markin g Code: H
?
Low Offset (Error) Voltage
?
Low-Voltage Operation
Top V ie w
Orderin g Information:
?
?
High-Speed Circuits
Low Battery Voltage Operation
Si1031R-T1-GE3 (SC-75A, Lead (P b )-free and Halogen-free)
Si1031X-T1-GE3 (SC- 8 9, Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Si1031R
Si1031X
Parameter
Symbol
5s
Steady State
5s
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
V DS
V GS
- 20
±6
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current a
T A = 25 °C
T A = 85 °C
I D
I DM
- 150
- 110
- 500
- 140
- 100
- 165
- 150
- 600
- 155
- 125
mA
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
- 250
- 200
- 340
- 240
Maximum Power Dissipation a
T A = 25 °C
T A = 85 °C
P D
280
145
250
130
340
170
300
150
mW
Operating Junction and Storage Temperature Range
Gate-Source ESD Rating (HBM, Method 3015)
T J , T stg
ESD
- 55 to 150
2000
°C
V
Notes:
a. Surface mounted on FR4 board.
Document Number: 71171
S10-2544-Rev. D, 08-Nov-10
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI1031X | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI1031X-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1031X-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1031X-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 150mA 340mW 8.0ohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| Si1032-A-GM | 功能描述:射频微控制器 - MCU 32KB 8KB RAM PRGRM XCVR, DC-DC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube |
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