参数资料
型号: SI1031R-T1-GE3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 7/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 140MA SC-75A
标准包装: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 140mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8 欧姆 @ 150mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
功率 - 最大: 250mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-75A
供应商设备封装: SC-75A
包装: 标准包装
其它名称: SI1031R-T1-GE3DKR
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR SC-75A: 3-Lead
0.014
(0.356)
0.264
(0.660)
0.054
(1.372)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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Document Number: 72603
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
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PDF描述
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参数描述
SI1031X 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1031X-T1 功能描述:MOSFET 20V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1031X-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1031X-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 150mA 340mW 8.0ohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
Si1032-A-GM 功能描述:射频微控制器 - MCU 32KB 8KB RAM PRGRM XCVR, DC-DC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube