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参数资料
| 型号： | SI1031R-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 140MA SC-75A |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 140mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 欧姆 @ 150mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.5nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-75A |
| 供应商设备封装： | SC-75A |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI1031R-T1-GE3DKR |
Package Information
www.vishay.com
SC-75A: 3 Leads
L2
Vishay Siliconix
3
B1( b 1)
D
e2
1
2
2X
D
3
e1
1
3
E/2
2
E1
1
2
E
1
1
C
2X
bbb C
3
4
2XB1
e3
2X
B1
ddd M
C
A– B
D
b 1
With Tin Planting
c1
Base Metal
Section B-B 5
C
4X
Seating Plane
D
DWG: 5868
Notes
Dimensions in millimeters will govern.
1. Dimension D does not include mold flash, protrusions or gate
burrs. Mold flash protrusions or gate burrs shall not exceed
0.10 mm per end. Dimension E1 does not include Interlead flash
or protrusion. Interlead flash or protrusion shall not exceed
0.10 mm per side.
2. Dimensions D and E1 are determined at the outmost extremes of
the plastic body exclusive of mold flash, tie bar burrs, gate burrs
and interelead flash, but including any mismatch between the top
and bottom of the plastic body.
3. Datums A, B and D to be determined 0.10 mm from the lead tip.
4. Terminal positions are shown for reference only.
5. These dimensions apply to the flat section of the lead between
0.08 mm and 0.15 mm from the lead tip.
DIM.
A
A 1
A 2
B 1
b 1
c
c 1
D
E
E 1
e 1
MIN.
-
0.00
0.65
0.19
0.17
0.13
0.10
1.48
1.50
0.66
MILLIMETERS
NOM.
-
-
0.70
-
-
-
-
1.575
1.60
0.76
0.50 BSC
MAX.
0.80
0.10
0.80
0.24
0.21
0.15
0.12
1.68
1.70
0.86
NOTE
5
5
5
1, 2
1, 2
e 2
1.00 BSC
DIMENSIONS
TOLERANCES
e 3
0.50 BSC
aaa
bbb
ccc
ddd
0.10
0.10
0.10
0.10
L
L 1
L 2
θ
θ 1
0.15
0°
4°
0.205
0.40 ref.
0.15 BSC
-
-
0.30
8°
10°
C14-0222-Rev. E, 07-Apr-14
1
Document Number: 71348
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5343-C-60 | BNC MALE/RETR SHEATH BANANA 60" |
| D3V-01-3C23-T | SWITCH SNAP .1A SPST-NO .187QC |
| SI2307CDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 |
| YQD080N0050 | THERMISTOR PTC OCP 50 OHM 25C |
| D3V-6G6M-2A4-K | SWITCH ROLL SPST-NC 6A SLD TERM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI1031X | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI1031X-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1031X-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1031X-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 150mA 340mW 8.0ohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| Si1032-A-GM | 功能描述:射频微控制器 - MCU 32KB 8KB RAM PRGRM XCVR, DC-DC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube |
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