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参数资料
| 型号： | SI1031R-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 140MA SC-75A |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 140mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 欧姆 @ 150mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.5nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-75A |
| 供应商设备封装： | SC-75A |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI1031R-T1-GE3DKR |
Package Information
www.vishay.com
For Samsung only
1
b
3
2
c
Vishay Siliconix
0.150 ga u ge line
e
Top v ie w
D
Notes
(1) Millimeters will govern.
(2) Dimension exclusive of mold gate burrs.
(3) Dimension exclusive of mold flash and cutting burrs.
Side v ie w
DIM.
A
A1
b
c
D
E
E1
e
L
θ
MIN.
0.60
0.00
0.18
0.11
1.48
1.50
0.66
0.95
0.22
4°
MILLIMETERS
NOM.
0.70
0.05
0.22
0.13
1.58
1.60
0.76
1.00
0.32
7°
MAX.
0.80
0.10
0.32
0.21
1.68
1.70
0.86
1.05
0.42
10°
MIN.
0.024
0.000
0.007
0.004
0.058
0.059
0.026
0.037
0.009
4°
INCHES
NOM.
0.028
0.002
0.009
0.005
0.062
0.063
0.030
0.039
0.013
7°
MAX.
0.031
0.004
0.013
0.008
0.066
0.067
0.034
0.041
0.017
10°
C14-0222-Rev. E, 07-Apr-14
2
Document Number: 71348
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5343-C-60 | BNC MALE/RETR SHEATH BANANA 60" |
| D3V-01-3C23-T | SWITCH SNAP .1A SPST-NO .187QC |
| SI2307CDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 |
| YQD080N0050 | THERMISTOR PTC OCP 50 OHM 25C |
| D3V-6G6M-2A4-K | SWITCH ROLL SPST-NC 6A SLD TERM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI1031X | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI1031X-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1031X-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1031X-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 150mA 340mW 8.0ohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| Si1032-A-GM | 功能描述:射频微控制器 - MCU 32KB 8KB RAM PRGRM XCVR, DC-DC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube |
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