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参数资料
| 型号： | SI1046R-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 606MA SC75-3 |
| 产品目录绘图： | SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 420 毫欧 @ 606mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 950mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.49nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 66pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-75A |
| 供应商设备封装： | SC-75A |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1661 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI1046R-T1-GE3DKR |
Si1046R
Vishay Siliconix
N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
? TrenchFET ? Power MOSFET: 1.8 V Rated
V DS (V)
R DS(on) ( ? )
I D (A)
a
Q g (Typ.)
? ESD Protected: 2000 V
0.420 at V GS = 4.5 V
0.606
? Material categorization:
20
0.501 at V GS = 2.5 V
0.660 at V GS = 1.8 V
0.505
0.150
0.92
For definitions of compliance please see
www.vishay.com/doc?99912
SC75-3L
APPLICATIONS
? Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays,
G
1
Memories
? Battery Operated Systems
? Power Supply Converter Circuits
S
2
Top V ie w
3
D
? Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
Marking Code: J
Orderin g Information:
Si1046R-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwi se noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
20
±8
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
I S
P D
T J , T stg
0.606 b, c
0.485 b, c
2.5
0.21 b, c
0.25 b, c
0.16 b, c
- 55 to 150
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient b, d
t ?? 5 s
Steady State
R thJA
440
540
530
650
°C/W
Notes:
a. Based on T C = 25 °C.
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 5 s.
d. Maximum under steady state conditions is 650 °C/W.
Document Number: 74595
S13-0195-Rev. D, 28-Jan-13
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
1
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 0638673103 | INSULATION PUNCH |
| ASDMB-12.000MHZ-XY-T | OSC MEMS 12.000 MHZ SMD |
| ASDMB-25.000MHZ-XY-T | OSC MEMS 25.000 MHZ SMD |
| ASDMB-27.000MHZ-XY-T | OSC MEMS 27.000 MHZ SMD |
| ASDMB-48.000MHZ-XY-T | OSC MEMS 48.000 MHZ SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI1046X | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI1046X-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 0.606A 0.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1046X-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 606mA 0.25W 420mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI104-820 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SMT Power Inductor |
| SI104-820K | 制造商:DELTA 制造商全称:Delta Electronics, Inc. 功能描述:SMT Power Inductor |
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