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参数资料
| 型号： | SI1046R-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 606MA SC75-3 |
| 产品目录绘图： | SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 420 毫欧 @ 606mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 950mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.49nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 66pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-75A |
| 供应商设备封装： | SC-75A |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1661 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI1046R-T1-GE3DKR |
Package Information
www.vishay.com
For Samsung only
1
b
3
2
c
Vishay Siliconix
0.150 ga u ge line
e
Top v ie w
D
Notes
(1) Millimeters will govern.
(2) Dimension exclusive of mold gate burrs.
(3) Dimension exclusive of mold flash and cutting burrs.
Side v ie w
DIM.
A
A1
b
c
D
E
E1
e
L
θ
MIN.
0.60
0.00
0.18
0.11
1.48
1.50
0.66
0.95
0.22
4°
MILLIMETERS
NOM.
0.70
0.05
0.22
0.13
1.58
1.60
0.76
1.00
0.32
7°
MAX.
0.80
0.10
0.32
0.21
1.68
1.70
0.86
1.05
0.42
10°
MIN.
0.024
0.000
0.007
0.004
0.058
0.059
0.026
0.037
0.009
4°
INCHES
NOM.
0.028
0.002
0.009
0.005
0.062
0.063
0.030
0.039
0.013
7°
MAX.
0.031
0.004
0.013
0.008
0.066
0.067
0.034
0.041
0.017
10°
C14-0222-Rev. E, 07-Apr-14
2
Document Number: 71348
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 0638673103 | INSULATION PUNCH |
| ASDMB-12.000MHZ-XY-T | OSC MEMS 12.000 MHZ SMD |
| ASDMB-25.000MHZ-XY-T | OSC MEMS 25.000 MHZ SMD |
| ASDMB-27.000MHZ-XY-T | OSC MEMS 27.000 MHZ SMD |
| ASDMB-48.000MHZ-XY-T | OSC MEMS 48.000 MHZ SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI1046X | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI1046X-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 0.606A 0.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1046X-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 606mA 0.25W 420mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI104-820 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SMT Power Inductor |
| SI104-820K | 制造商:DELTA 制造商全称:Delta Electronics, Inc. 功能描述:SMT Power Inductor |
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