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参数资料
| 型号： | SI1046R-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 606MA SC75-3 |
| 产品目录绘图： | SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 420 毫欧 @ 606mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 950mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.49nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 66pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-75A |
| 供应商设备封装： | SC-75A |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1661 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI1046R-T1-GE3DKR |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR SC-75A: 3-Lead
0.014
(0.356)
0.264
(0.660)
0.054
(1.372)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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Document Number: 72603
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
19
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 0638673103 | INSULATION PUNCH |
| ASDMB-12.000MHZ-XY-T | OSC MEMS 12.000 MHZ SMD |
| ASDMB-25.000MHZ-XY-T | OSC MEMS 25.000 MHZ SMD |
| ASDMB-27.000MHZ-XY-T | OSC MEMS 27.000 MHZ SMD |
| ASDMB-48.000MHZ-XY-T | OSC MEMS 48.000 MHZ SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI1046X | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI1046X-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 0.606A 0.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1046X-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 606mA 0.25W 420mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI104-820 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SMT Power Inductor |
| SI104-820K | 制造商:DELTA 制造商全称:Delta Electronics, Inc. 功能描述:SMT Power Inductor |
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