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参数资料
| 型号： | SI1046R-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 606MA SC75-3 |
| 产品目录绘图： | SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 420 毫欧 @ 606mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 950mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.49nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 66pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-75A |
| 供应商设备封装： | SC-75A |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1661 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI1046R-T1-GE3DKR |
Si1046R
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
2.5
0. 8
V GS = 5 V thru 2 V
2.0
0.6
1.5
1.0
0.5
0.0
V GS = 1.5 V
V GS = 1.0 V
0.4
0.2
0.0
T J = 25 °C
T J = 125 °C
T J = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
1.0
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
100
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0. 8
0.6
0.4
V GS = 1. 8 V
V GS = 2.5 V
8 0
60
40
C oss
C iss
0.2
V GS = 4.5 V
20
0.0
0
C rss
0.0
0.6
1.2
1. 8
2.4
3.0
0
4
8
12
16
20
5
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 0.606 A
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
4
3
V DS = 10 V
1.6
1.4
V GS = 4.5 V , I D = 0.606 A
V GS = 2.5 V , I D = 0.505 A
2
1
0
V DS = 16 V
1.2
1.0
0. 8
0.6
V GS = 1. 8 V , I D = 0.15 A
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 74595
S13-0195-Rev. D, 28-Jan-13
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 0638673103 | INSULATION PUNCH |
| ASDMB-12.000MHZ-XY-T | OSC MEMS 12.000 MHZ SMD |
| ASDMB-25.000MHZ-XY-T | OSC MEMS 25.000 MHZ SMD |
| ASDMB-27.000MHZ-XY-T | OSC MEMS 27.000 MHZ SMD |
| ASDMB-48.000MHZ-XY-T | OSC MEMS 48.000 MHZ SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI1046X | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI1046X-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 0.606A 0.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1046X-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 606mA 0.25W 420mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI104-820 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SMT Power Inductor |
| SI104-820K | 制造商:DELTA 制造商全称:Delta Electronics, Inc. 功能描述:SMT Power Inductor |
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