- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录507 > SI1141-A10-GM (Silicon Laboratories Inc)IC SENSOR IR PROX/AMBIENT 10-QFN Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI1141-A10-GM |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 8/78页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SENSOR IR PROX/AMBIENT 10-QFN |
| 应用说明： | SI114x Appl Note |
| 设计资源： | SI114x Designer Guide |
| 标准包装： | 75 |
| 带接近传感器： | 是 |
| 波长： | 950nm |
| 电源电压： | 1.71 V ~ 3.6 V |
| 输出类型： | 数字 - I²C |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-WFQFN |
| 包装： | 管件 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页当前第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页
Si1141/42/43
Table 2. Performance Characteristics 1 (Continued)
Parameter
Large Infrared Photodi-
Symbol
Condition
All gain settings
Min
—
Typ
10
Max
—
Unit
ADC
ode Noise
counts
RMS
Visible Photodiode Offset
Drift
VIS_RANGE=0
ALS_VIS_ADC_GAIN=0
ALS_VIS_ADC_GAIN=1
—
–0.3
–0.11
—
ADC
counts/
°C
ALS_VIS_ADC_GAIN=2
ALS_VIS_ADC_GAIN=3
ALS_VIS_ADC_GAIN=4
ALS_VIS_ADC_GAIN=5
ALS_VIS_ADC_GAIN=6
ALS_VIS_ADC_GAIN=7
–0.06
–0.03
–0.01
–0.008
–0.007
–0.008
Small Infrared Photodiode
Offset Drift
IR_RANGE=0
IR_GAIN=0
IR_GAIN=1
—
–0.3
–0.06
—
ADC
counts/
°C
IR_GAIN=2
IR_GAIN=3
–0.03
–0.01
SCL, SDA, INT Output
Low Voltage
V OL
I = 4 mA, V DD > 2.0 V
I = 4 mA, V DD < 2.0 V
—
—
—
—
V DD x0.
2
V
V
0.4
Temperature Sensor Off-
25 °C
—
11136
—
ADC
set
counts
Temperature Sensor Gain
—
35
—
ADC
counts/
°C
Notes:
1. Unless specifically stated in "Conditions", electrical data assumes ambient light levels < 1 klx.
2. Proximity-detection performance may be degraded, especially when there is high optical crosstalk, if the LED supply
and voltage drop allow the driver to saturate and current regulation is lost.
3. Guaranteed by design and characterization.
4. Represents the time during which the device is drawing a current equal to I active for power estimation purposes.
Assumes default settings.
8
Rev. 1.3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI1143-A10-GMR | SENS IR PROXIMITY AMB LT 10QFN |
| SI1300BDL-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V SC-70-3 |
| SI1302DL-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V SC-70-3 |
| SI1303DL-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3 |
| SI1305DL-T1-GE3 | MOSFET P-CH G-S 8V SC-70-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| Si1141-A10-GMR | 功能描述:近程传感器 I2C Proximity Amb Light Sensor 1 LED RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 感应方式:Optical 感应距离:1 mm to 200 mm 电源电压:2.5 V to 3.6 V 安装风格:SMD/SMT 输出配置:Digital 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 系列:VCNL3020 |
| Si1141-A11-GMR | 功能描述:近程传感器 I2C Proximity Amb Light Sensor 1 LED RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 感应方式:Optical 感应距离:1 mm to 200 mm 电源电压:2.5 V to 3.6 V 安装风格:SMD/SMT 输出配置:Digital 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 系列:VCNL3020 |
| SI1141-A11-YM0R | 功能描述:Optical Sensor Ambient 450nm I2C 10-WFQFN 制造商:silicon labs 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:环境 波长:450nm 接近探测:是 输出类型:I2C 电压 - 电源:1.71 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:10-WFQFN 供应商器件封装:10-QFN（2x2） 标准包装:1 |
| SI1141-M01-GMR | 功能描述:Optical Sensor IR 850nm I2C 10-SMD Module (No Lead) 制造商:silicon labs 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:IR 波长:850nm 接近探测:是 输出类型:I2C 电压 - 电源:1.71 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:10-SMD 模块（无引线） 供应商器件封装:10-QFN（4.9x2.9） 标准包装:1 |
| SI1142 | 制造商:SILABS 制造商全称:SILABS 功能描述:PROXIMITY/AMBIENT LIGHT SENSOR IC WITH I2C INTERFACE |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。