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参数资料
| 型号： | SI1141-A10-GM |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 9/78页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SENSOR IR PROX/AMBIENT 10-QFN |
| 应用说明： | SI114x Appl Note |
| 设计资源： | SI114x Designer Guide |
| 标准包装： | 75 |
| 带接近传感器： | 是 |
| 波长： | 950nm |
| 电源电压： | 1.71 V ~ 3.6 V |
| 输出类型： | 数字 - I²C |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-WFQFN |
| 包装： | 管件 |
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Si1141/42/43
Table 3. I 2 C Timing Specifications
Parameter
Clock Frequency
Clock Pulse Width Low
Clock Pulse Width High
Rise Time
Fall Time
Start Condition Hold Time
Start Condition Setup Time
Input Data Setup Time
Input Data Hold Time
Stop Condition Setup Time
Symbol
f SCL
t LOW
t HIGH
t R
t F
t HD.STA
t SU.STA
t SU.DAT
t HD.DAT
t SU.STO
Min
—
160
60
10
10
160
160
10
0
160
Typ
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Max
3.4
—
—
40
40
—
—
—
—
—
Unit
MHz
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Table 4. Absolute Maximum Limits
Parameter
V DD Supply Voltage
Operating Temperature
Storage Temperature
LED1, LED2, LED3 Voltage
INT, SCL, SDA Voltage
Maximum total current through
Condition
at V DD = 0 V, T A < 85 °C
at V DD = 0 V, T A < 85 °C
Min
–0.3
–40
–65
–0.5
–0.5
—
Typ
—
—
—
—
—
—
Max
4
85
85
3.6
3.6
500
Unit
V
°C
°C
V
V
mA
LED1, LED2 and LED3
Maximum total current through
—
—
600
mA
GND
ESD Rating
Human Body Model
Machine Model
Charged-Device Model
—
—
—
—
—
—
2
225
2
kV
V
kV
Rev. 1.3
9
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PDF描述 |
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