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参数资料
| 型号： | SI1426DH-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V SC-70-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 3.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI1426DH-T1-GE3DKR |
AN815
Vishay Siliconix
400
320
250
200
240
160
80
Alloy
42
Copper
150
100
50
Alloy
42
Copper
0
0
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
1000
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
1000
Time (Secs)
Time (Secs)
FIGURE 4.
Leadframe Comparison on EVB
FIGURE 5.
Leadframe Comparison on Alloy 42 1-inch 2 PCB
Document Number: 71334
12-Dec-03
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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| SI1431DH-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| SI1433DH | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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