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参数资料
| 型号： | SI1557DH-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 13/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 12V SC70-6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.2A，770mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 235 毫欧 @ 1.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 450mV @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.2nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 470mW |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR SC-70: 6-Lead
0.067
(1.702)
0.016
(0.406)
0.026
(0.648)
0.010
(0.241)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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www.vishay.com
18
Document Number: 72602
Revision: 21-Jan-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI1563EDH-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 |
| SI1900DL-T1-E3 | MOSFET N-CH DUAL 30V SC70-6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI1563DH | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Complementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFET |
| SI1563DH_08 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Complementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFET |
| SI1563DH_10 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Complementary 20 V (D-S) Low-Threshold MOSFET |
| SI1563DH-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 1.28/1.0A 0.48W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1563DH-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 1.28/1.0A 16 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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