- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录508 > SI1557DH-T1-E3 (Vishay Siliconix)MOSFET N/P-CH 12V SC70-6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI1557DH-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 12V SC70-6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.2A，770mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 235 毫欧 @ 1.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 450mV @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.2nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 470mW |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si1557DH
Vishay Siliconix
P-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
3
3.0
2.5
1
0.1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
I D = 0.2 A
I D = 0.8 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
0.3
0.2
0.1
0.0
- 0.1
- 0.2
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 100 μ A
5
4
3
2
1
0
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
10
Limited
by R DS(on) *
I DM Limited
Time (s)
Single Pulse Power
1
1 ms
I D Limited
10 ms
0.1
T A = 25 °C
Single Pulse
100 ms
1 s, 10 s, DC
BVDSS
Limited
0.01
Document Number: 71944
S10-1054-Rev. C, 03-May-10
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI1563EDH-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 |
| SI1900DL-T1-E3 | MOSFET N-CH DUAL 30V SC70-6 |
| SI1902DL-T1-GE3 | MOSFET N-CH G-S 20V DUAL SC-70-6 |
| SI1926DL-T1-E3 | MOSF N CH DUAL D-S 60V SC-70-6 |
| SI1967DH-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI1563DH | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Complementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFET |
| SI1563DH_08 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Complementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFET |
| SI1563DH_10 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Complementary 20 V (D-S) Low-Threshold MOSFET |
| SI1563DH-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 1.28/1.0A 0.48W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1563DH-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 1.28/1.0A 16 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。