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参数资料
| 型号： | SI1926DL-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF N CH DUAL D-S 60V SC-70-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 370mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.4 欧姆 @ 340mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 18.5pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 510mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI1926DL-T1-E3DKR |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR SC-70: 6-Lead
0.067
(1.702)
0.016
(0.406)
0.026
(0.648)
0.010
(0.241)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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www.vishay.com
18
Document Number: 72602
Revision: 21-Jan-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| SI1965DH | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
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