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参数资料
| 型号： | SI1926DL-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF N CH DUAL D-S 60V SC-70-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 370mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.4 欧姆 @ 340mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 18.5pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 510mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI1926DL-T1-E3DKR |
Si1926DL
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.7
0.6
V GS = 10 V thr u 5 V
0.4
0.5
V GS = 4 V
0.3
0.4
0.2
0.3
0.2
0.1
0.0
V GS = 3 V
0.1
0.0
T C = 25 °C
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1
2
3
4
3.0
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics Curves vs. Temperature
32
2.5
24
2.0
C iss
1.5
1.0
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
16
C oss
8
0.5
C rss
0.0
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0
10
20
30
40
50
60
10
8
6
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 0.5 A
V DS = 30 V
1.6
1.4
1.2
V DS - Drain-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 10 V, I D = 0.5 A
V GS = 4.5 V, I D = 0.2 A
4
2
0
V DS = 4 8 V
1.0
0. 8
0.6
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 73684
S10-0792-Rev. D, 05-Apr-10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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