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参数资料
| 型号： | SI1926DL-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF N CH DUAL D-S 60V SC-70-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 370mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.4 欧姆 @ 340mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 18.5pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 510mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI1926DL-T1-E3DKR |
Si1926DL
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1000
T A = 150 °C
T A = 25 °C
5.0
4.0
I D = 0.5 A
100
3.0
T A = 125 °C
2.0
10
1
1.0
0.0
T A = 25 °C
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
3
4
5
6
7
8
9
10
2.0
1. 8
1.6
1.4
1.2
1.0
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μ A
5
4
3
2
1
0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
R DS(on) vs. V GS vs. Temperature
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
1
0.1
Limited by R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power
10 ms
100 ms
1s
0.01
0.001
T A = 25 °C
Single P u lse
BVDSS Limited
10 s
DC
0.1
1
10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
www.vishay.com
4
* V GS
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area
Document Number: 73684
S10-0792-Rev. D, 05-Apr-10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI1967DH-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6 |
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| SI2300DS-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V SOT-23 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI1926DL-T1-GE3 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFETS - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET 2P-CH 60V 340MA SOT363 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:DUAL N-CH 60-V(D-S) MOSFET 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSFET |
| SI1958DH | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI1958DH_10 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
| SI1958DH-T1-E3 | 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 20V(D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1965DH | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
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