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参数资料
| 型号： | SI2305ADS-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 4.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 800mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 740pF @ 4V |
| 功率 - 最大： | 1.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
Si2305ADS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
12
12
9
6
3
V GS = 4.5 V thru 2 V
V GS = 1.5 V
9
6
3
0
V GS = 0.5 V
V GS = 1 V
0
T C = 125 °C
T C = 25 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.10
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1200
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.0 8
0.06
V GS = 1.8 V
900
600
C iss
V GS = 2.5 V
C oss
0.04
0.02
V GS = 4.5 V
300
0
C rss
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
4.5
I D = 4.1 A
1.5
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
3.6
2.7
V DS = 4 V
V DS = 6.4 V
1.3
1.1
V DS = 2.5 V, I D = 3.4 A
V DS = 4.5 V, I D = 4.1 A
1. 8
0.9
0.9
0.0
0.7
0.0
1.5
3.0
4.5
6.0
7.5
9.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 69940
S09-0538-Rev. D, 06-Apr-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI2305ADS-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 8.0V 4.1A 1.7W 40 mohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2305CDS | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 8 V (D-S) MOSFET |
| SI2305CDS_13 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 8 V (D-S) MOSFET |
| Si2305CDS-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 8.0V 5.8A 1.7W 35mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2305DS | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET |
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