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参数资料
| 型号： | SI2305ADS-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 4.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 800mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 740pF @ 4V |
| 功率 - 最大： | 1.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
Si2305ADS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
t 1
t 2
0.01
0.02
Single P u lse
N otes:
P DM
t 1
t 2
1. D u ty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 175 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
0.001
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
1 0
100
1 0 0 0
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?69940 .
www.vishay.com
6
Document Number: 69940
S09-0538-Rev. D, 06-Apr-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI2305CDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3 |
| SI2305DS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3 |
| SI2306BDS-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3 |
| SI2307BDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3 |
| SI2307CDS-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI2305ADS-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 8.0V 4.1A 1.7W 40 mohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2305CDS | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 8 V (D-S) MOSFET |
| SI2305CDS_13 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 8 V (D-S) MOSFET |
| Si2305CDS-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 8.0V 5.8A 1.7W 35mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2305DS | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET |
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