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参数资料
| 型号： | SI2307BDS-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 78 毫欧 @ 3.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 380pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 750mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR SOT-23
0.037
(0.950)
0.022
(0.559)
0.053
(1.341)
0.097
(2.459)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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Document Number: 72609
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
25
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI2307CDS-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 |
| SI2308BDS-T1-E3 | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 |
| SI2312BDS-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 |
| SI2315BDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 |
| SI2335DS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI2307CDS | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI2307CDS-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 2.7A 1.8W 88mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2307CDS-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 2.7A 1.8W 88 mohms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2307DS | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI2307DS-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 3.0A 1.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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